Hiệu suất phát điện của bảng điều khiển năng lượng mặt trời

Hiệu suất chuyển đổi quang điện của năng lượng mặt trời silicon đơn tinh thể đạt mức cao nhất là 24% , cao nhất trong số tất cả các loại pin mặt trời. Tuy nhiên, chi phí sản xuất pin mặt trời silicon đơn tinh thể quá cao nên chúng không thể được sử dụng phổ biến và rộng rãi. Về chi phí sản xuất, pin mặt trời silicon đa tinh thể rẻ hơn pin mặt trời silicon đơn tinh thể, nhưng hiệu suất chuyển đổi quang điện của pin mặt trời silicon đa tinh thể giảm đáng kể. Ngoài ra, tuổi thọ của pin mặt trời silicon đa tinh thể cũng ngắn hơn so với pin mặt trời silicon đơn tinh thể. Do đó, về hiệu suất và giá cả, pin mặt trời silicon đơn tinh thể tốt hơn một chút.
Các nhà nghiên cứu đã phát hiện ra rằng một số vật liệu bán dẫn hợp chất phù hợp để sử dụng làm phim chuyển đổi quang điện mặt trời. Ví dụ: CdS, CdTe; Chất bán dẫn hợp chất III-V: GaAs, AIPInP, v.v.; Pin mặt trời màng mỏng làm từ các chất bán dẫn này thể hiện hiệu suất chuyển đổi quang điện tuyệt vời. Vật liệu bán dẫn có nhiều khe dải gradient có thể mở rộng phạm vi quang phổ hấp thụ năng lượng mặt trời, từ đó cải thiện hiệu suất chuyển đổi quang điện. Vì vậy, một số lượng lớn các ứng dụng thực tế của pin mặt trời màng mỏng cho thấy triển vọng rộng lớn. Trong số các vật liệu bán dẫn đa thành phần này, Cu (In, Ga) Se2 là vật liệu hấp thụ ánh sáng mặt trời với hiệu suất tuyệt vời. Dựa trên nó, pin mặt trời màng mỏng có hiệu suất chuyển đổi quang điện cao hơn đáng kể so với silicon có thể được thiết kế, đạt được tỷ lệ chuyển đổi quang điện là 18 phần trăm